SCT50N120, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 50А, Idm: 130А, 318Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

48 шт., срок 7 недель

10 640 руб.

от 3 шт. — 8 920 руб.

от 10 шт. — 8 560 руб.

от 30 шт. — 8 023.42 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 10 640 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8002512565

Артикул: SCT50N120

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Описание Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 50А, Idm: 130А, 318Вт Характеристики

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.052Ом
Power Dissipation	318Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Максимальная Рабочая Температура	200°C
Напряжение Измерения Rds(on)	20В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	65А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	318Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.052Ом
Стиль Корпуса Транзистора	HiP247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	7.26

pdf, 703 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем