2N7002T, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,073А, 0,2Вт, SOT523F

Фото 2/3 2N7002T, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,073А, 0,2Вт, SOT523FФото 3/3 2N7002T, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,073А, 0,2Вт, SOT523F
Фото 1/3 2N7002T, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,073А, 0,2Вт, SOT523F
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва, срок 10-12 рабочих дней
39 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 195 руб.
Посмотреть альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8002515646
Артикул: 2N7002T
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 1.7мм
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current 115 mA
Package Type SOT-523 (SC-89)
Maximum Power Dissipation 200 mW
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 0.98mm
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Height 0.78mm
Maximum Drain Source Resistance 13.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage 60 В
Pin Count 3
Transistor Material Si
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Id - непрерывный ток утечки 115 mA
Pd - рассеивание мощности 200 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 7.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.78 mm
Длина 1.6 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Продукт MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки 3000
Серия 2N7002T
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 12.5 ns
Типичное время задержки при включении 5.85 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок SOT-523-3
Ширина 0.88 mm
Base Product Number 2N7002 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 115mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
HTSUS 8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-89, SOT-490
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-523F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250ВµA
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet 2N7002T
pdf, 430 КБ
Datasheet 2N7002T
pdf, 413 КБ
Datasheet 2N7002T
pdf, 428 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах