T2N7002BK, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,4А, Idm: 1,2А, 320мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4200 шт., срок 7 недель
18 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 360 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,4А, Idm: 1,2А, 320мВт, SOT23 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.1V |
Maximum Continuous Drain Current | 400 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 1.75 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.39 nC @ 4.5 V |
Width | 1.3mm |
Вес, г | 0.019 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet T2N7002BK,LM
pdf, 236 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.