AUIRFB8405, Транзистор полевой N-канальный 40В 120A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 7 шт. —
130 руб.
от 14 шт. —
118 руб.
от 28 шт. —
113 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 600 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 40В 120A
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Id - непрерывный ток утечки | 120 A | |
Pd - рассеивание мощности | 163 W | |
Qg - заряд затвора | 107 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.9 V | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Время нарастания | 128 ns | |
Время спада | 77 ns | |
Высота | 15.65 mm | |
Длина | 10 mm | |
Другие названия товара № | SP001516720 | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Квалификация | AEC-Q101 | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Коммерческое обозначение | CoolIRFet | |
Конфигурация | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 S | |
Максимальная рабочая температура | + 175 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 1000 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 55 ns | |
Типичное время задержки при включении | 14 ns | |
Торговая марка | Infineon Technologies | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-220-3 | |
Ширина | 4.4 mm | |
Base Product Number | AUIRFB8405 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 120A (Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 161nC @ 10V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5193pF @ 25V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) | |
Package | Tube | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Power Dissipation (Max) | 163W (Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 100A, 10V | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Series | HEXFETВ® -> | |
Supplier Device Package | TO-220AB | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 100ВµA | |
Вес, г | 1.81 |
Техническая документация
auirfb8405
pdf, 222 КБ
Datasheet AUIRFB8405
pdf, 227 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов