BSS169H6327XTSA1, Малосигнальный транзистор SIPMOS (N-канальный режи
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
62 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт. —
43 руб.
от 250 шт. —
34 руб.
от 1000 шт. —
27.28 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 310 руб.
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Описание Транзистор полевой BSS169H6327XTSA1 от известного производителя INFINEON – это компонент, предназначенный для монтажа на поверхность (SMD). Он обладает током стока 0,17 А и напряжением сток-исток 100 В, что делает его подходящим для широкого спектра электронных применений. Мощность транзистора составляет 0,36 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – 12 Ом. Этот N-MOSFET идеален для использования в компактных схемах благодаря своему небольшому корпусу SOT23. Превосходный выбор для проектов, требующих надежности и эффективности. Получите BSS169H6327XTSA1 для своих разработок и убедитесь в его высоком качестве. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.17 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 0.36 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 12 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 90 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Qg - заряд затвора | 2.1 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.9 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 2.7 ns |
| Время спада | 27 ns |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | BSS169 BSS169H6327XT H6327 SP000702572 |
| Канальный режим | Depletion |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.1 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BSS169 |
| Технология | Si |
| Тип | SIPMOS Small Signal Transistor |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 11 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.9 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | PG-SOT-23-3 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Base Product Number | BSS169 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 170mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 7V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 68pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | SIPMOSВ® -> |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50ВµA |
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Depletion |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 6000 |
| Fall Time | 27 ns |
| Forward Transconductance - Min | 100 mS |
| Height | 1.1 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 170 mA |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSS169 BSS169H6327XT H6327 SP000702572 |
| Pd - Power Dissipation | 360 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 2.8 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.9 Ohms |
| Rise Time | 2.7 ns |
| RoHS | Details |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 2.9 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -2.9 V |
| Width | 1.3 mm |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
BSS169H6327XTSA1
pdf, 397 КБ
Datasheet BSS169H6327XTSA1
pdf, 412 КБ
Datasheet BSS169H6327XTSA1
pdf, 396 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
