2N7000-FAI, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 200мА, 400мВт, TO92

Фото 2/3 2N7000-FAI, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 200мА, 400мВт, TO92Фото 3/3 2N7000-FAI, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 200мА, 400мВт, TO92
Фото 1/3 2N7000-FAI, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 200мА, 400мВт, TO92
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5180 шт. со склада г.Москва, срок 10-12 рабочих дней
42 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 40 шт.23 руб.
от 200 шт.20 руб.
от 2000 шт.15.10 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 420 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8002540585
Артикул: 2N7000
Бренд / Производитель: ON Semiconductor

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

• Управляемый напряжением переключатель маленьких сигналов
• Прочный и надежный
• Высокая степень насыщения по току

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Длина 5.2мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель ON Semiconductor
Максимальный непрерывный ток стока 200 mA
Тип корпуса TO-92
Максимальное рассеяние мощности 400 мВт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 4.19мм
Высота 5.33мм
Minimum Gate Threshold Voltage -0.8V
Максимальное сопротивление сток-исток 5 Ω
Максимальное напряжение сток-исток 60 В
Число контактов 3
Размеры 5.2 x 4.19 x 5.33мм
Категория Малый сигнал
Материал транзистора Кремний
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 20 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Base Product Number 2N7000 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
HTSUS 8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Power Dissipation (Max) 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-92-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 200mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 400mW
Rds On - Drain-Source Resistance 5О© @ 500mA,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Vgs - Gate-Source Voltage 3V @ 1mA
Вес, г 0.21

Техническая документация

2N7000
pdf, 107 КБ
Datasheet
pdf, 436 КБ
Datasheet 2N7000
pdf, 757 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах