IRFD110PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1А [HVMDIP]
![Фото 1/8 IRFD110PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1А [HVMDIP]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306871.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
81 руб.
от 15 шт. —
69 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 81 руб.
Описание
N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.54 Ом/0.6А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 | |
| Крутизна характеристики, S | 0.8 | |
| Корпус | HVMDIP-4 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 156 КБ
Datasheet
pdf, 146 КБ
Datasheet
pdf, 527 КБ
Datasheet IRFD110PBF
pdf, 150 КБ
IRFD110 Datasheet
pdf, 174 КБ
Документация
pdf, 148 КБ
Datasheet IRFD110, SiHFD110
pdf, 150 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
