IPS80R900P7, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,9А, 45Вт, IPAK SL

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

270 руб.

от 5 шт. — 210 руб.

от 25 шт. — 181 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 270 руб.

Номенклатурный номер: 8002557398

Артикул: IPS80R900P7

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,9А, 45Вт, IPAK SL Характеристики

Case	IPAK SL
Drain current	3.9A
Drain-source voltage	800V
Features of semiconductor devices	ESD protected gate
Gate charge	15nC
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Manufacturer	INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting	THT
On-state resistance	0.9Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	45W
Technology	CoolMOS™ P7
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	0.34

Мы рекомендуем