IGU04N60TAKMA1, Транзистор: IGBT, 600В, 4А, 42Вт, TO251

Фото 1/4 IGU04N60TAKMA1, Транзистор: IGBT, 600В, 4А, 42Вт, TO251
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
350 руб.
от 10 шт.260 руб.
от 75 шт.193 руб.
от 300 шт.170.88 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 350 руб.
Номенклатурный номер: 8002564313
Артикул: IGU04N60TAKMA1

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 4А, 42Вт, TO251 Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 4 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20.0V
Maximum Power Dissipation 42 W
Package Type TO-251
Collector Emitter Saturation Voltage 1.5В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 9.5А
Power Dissipation 42Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-251
Вес, г 0.41

Техническая документация

Datasheet IGU04N60TAKMA1
pdf, 458 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов