IGU04N60TAKMA1, Транзистор: IGBT, 600В, 4А, 42Вт, TO251
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
350 руб.
от 10 шт. —
260 руб.
от 75 шт. —
193 руб.
от 300 шт. —
170.88 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 350 руб.
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 4А, 42Вт, TO251 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 4 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20.0V |
Maximum Power Dissipation | 42 W |
Package Type | TO-251 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 9.5А |
Power Dissipation | 42Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-251 |
Вес, г | 0.41 |
Техническая документация
Datasheet IGU04N60TAKMA1
pdf, 458 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов