IRFU120PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 4,9А, 42Вт, IPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
от 5 шт. —
190 руб.
от 25 шт. —
159 руб.
от 75 шт. —
124 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 280 руб.
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 4,9А, 42Вт, IPAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 7.7 A |
Pd - рассеивание мощности | 42 W |
Qg - заряд затвора | 16 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 270 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 6.22 mm |
Длина | 6.73 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | IRFU |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-251-3 |
Ширина | 2.39 mm |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов