IRFU120PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 4,9А, 42Вт, IPAK

Фото 1/4 IRFU120PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 4,9А, 42Вт, IPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
280 руб.
от 5 шт.190 руб.
от 25 шт.159 руб.
от 75 шт.124 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 280 руб.
Номенклатурный номер: 8002566185
Артикул: IRFU120PBF

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 4,9А, 42Вт, IPAK Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 7.7 A
Pd - рассеивание мощности 42 W
Qg - заряд затвора 16 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 270 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 6.22 mm
Длина 6.73 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Серия IRFU
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-251-3
Ширина 2.39 mm
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet
pdf, 829 КБ
Datasheet
pdf, 821 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов