IRL520PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 6,5А, 60Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
от 3 шт. —
210 руб.
от 10 шт. —
168 руб.
от 50 шт. —
129.61 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 290 руб.
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 6,5А, 60Вт, TO220AB Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 9.2 A |
Pd - рассеивание мощности | 60 W |
Qg - заряд затвора | 12 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 270 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 64 ns |
Время спада | 27 ns |
Высота | 15.49 mm |
Длина | 10.41 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.2 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 21 ns |
Типичное время задержки при включении | 9.8 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
Ширина | 4.7 mm |
Base Product Number | IRL520 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 9.2A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 5.5A, 5V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 9.2 |
Maximum Diode Forward Voltage (V) | 2.5 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 270@5V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
Maximum IDSS (uA) | 25 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 10 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 60000 |
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 36 |
Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-220 |
Supplier Package | TO-220AB |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 27 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 12(Max)@5V |
Typical Gate Plateau Voltage (V) | 3.9 |
Typical Gate to Drain Charge (nC) | 7.1(Max) |
Typical Gate to Source Charge (nC) | 3(Max) |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 490@25V |
Typical Output Capacitance (pF) | 150 |
Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 830 |
Typical Reverse Recovery Time (ns) | 130 |
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 30@25V |
Typical Rise Time (ns) | 64 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 21 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9.8 |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов