STW45N60DM2AG, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 600В, 21А, 250Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 шт., срок 7 недель
1 910 руб.
от 3 шт. —
1 480 руб.
от 10 шт. —
1 270 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 910 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор полевой STW45N60DM2AG от известного производителя STMicroelectronics представляет собой мощный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия печатной платы (THT). Способен управлять током стока до 21 А и выдерживать напряжение сток-исток до 600 В. Этот элемент обладает мощностью 250 Вт и отличается низким сопротивлением в открытом состоянии, составляющим всего 0,085 Ом, что обеспечивает его высокую эффективность. Корпус TO247 гарантирует надежность и долговечность в эксплуатации. Транзистор STW45N60DM2AG – идеальный выбор для силовой электроники и различных промышленных применений. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 21 |
| Напряжение сток-исток, В | 600 |
| Мощность, Вт | 250 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.085 |
| Корпус | TO247 |
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Drain current | 21A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 85mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 250W |
| Technology | MDmesh™ DM2 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 4.51 |
Техническая документация
Datasheet STW45N60DM2AG
pdf, 386 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
