2SK3475(TE12L.F)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней

790 руб.

от 2 шт. — 670 руб.

от 5 шт. — 598 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 790 руб.

Номенклатурный номер: 8008469898

Бренд: Нет торговой марки

Электроэлемент

Транзистор: N-MOSFET, полевой, RF, 20В, 1А, 3Вт, SOT89, Pвых: 630мВт

Brand	Toshiba
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Gain	14.9 dB
Id - Continuous Drain Current	1 A
Manufacturer	Toshiba
Mounting Style	SMD/SMT
Operating Frequency	520 MHz
Output Power	630 mW
Package / Case	PW-Mini-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	3 W
Product Category	RF MOSFET Transistors
RoHS	Details
Series	2SK3475
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Type	RF Power MOSFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Vgs - Gate-Source Voltage	10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.4 V
Вес, г	0.09

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем