IRFD220PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 200В, 0.8А [HVMDIP]
![Фото 1/5 IRFD220PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 200В, 0.8А [HVMDIP]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306871.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
от 25 шт. —
125 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 руб.
Описание
МОП-транзистор 200V N-CH HEXFET HEXDI
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.8 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.8 Ом/0.48А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 | |
| Крутизна характеристики, S | 1.1 | |
| Корпус | HVMDIP-4 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet IRFD220PBF
pdf, 989 КБ
Datasheet IRFD220PBF
pdf, 1894 КБ
IRFD220 Datasheet
pdf, 175 КБ
Datasheet IRFD220, SiHFD220
pdf, 1895 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
