2N7002P.215, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 280мА, 420мВт, SOT23

Фото 2/5 2N7002P.215, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 280мА, 420мВт, SOT23Фото 3/5 2N7002P.215, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 280мА, 420мВт, SOT23Фото 4/5 2N7002P.215, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 280мА, 420мВт, SOT23Фото 5/5 2N7002P.215, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 280мА, 420мВт, SOT23
Фото 1/5 2N7002P.215, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 280мА, 420мВт, SOT23
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
23750 шт. со склада г.Москва, срок 10-12 рабочих дней
20 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 90 шт.10 руб.
от 475 шт.8.20 руб.
от 12000 шт.6.21 руб.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 400 руб.
Посмотреть альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8002620347
Артикул: 2N7002P.215
Производитель: Nexperia

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Корпус TO236

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 360 mA
Pd - рассеивание мощности 420 mW
Qg - заряд затвора 0.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 4 ns
Время спада 5 ns
Высота 1 mm
Длина 3 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Продукт MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel Trench MOSFET
Типичное время задержки выключения 10 ns
Типичное время задержки при включении 3 ns
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Base Product Number 2N7002 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 360mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 4.5V
HTSUS 8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-236AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250ВµA
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 360mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 350mW
Rds On - Drain-Source Resistance 1.6О© @ 500mA,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Vgs - Gate-Source Voltage 2.4V @ 250uA
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet
pdf, 278 КБ
Datasheet 2N7002P.215
pdf, 262 КБ
Datasheet
pdf, 311 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах