BSS138BKW.115, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,21А, 310мВт, SOT323
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2195 шт., срок 7 недель
65 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт. —
26 руб.
от 100 шт. —
21 руб.
от 500 шт. —
16.15 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 325 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
МОП-транзистор N-CH 60 V 320 mA
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 320 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 310 mW |
| Qg - заряд затвора | 0.6 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 480 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 5 ns |
| Время спада | 20 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BSS138BKW |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 320mA(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 56pF @ 10V |
| Manufacturer | Nexperia USA Inc. |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 260mW(Ta), 830mW(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 320mA, 10V |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв(ў |
| Supplier Device Package | SC-70 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 320 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.6 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.6V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 310 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.48V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-323 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 854 КБ
Datasheet BSS138BKW,115
pdf, 1580 КБ
Datasheet BSS138BKW.115
pdf, 1390 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
