BSS123NH6327XTSA1, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
от 5 шт. —
90 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор полевой BSS123NH6327XTSA1 производства INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент в компактном SOT23 корпусе для SMD монтажа. С током стока в 0,19 А и напряжением сток-исток до 100 В, этот полупроводниковый прибор отличается стабильной работой в широком диапазоне электрических нагрузок. При мощности 0,5 Вт и сопротивлении в открытом состоянии всего 10 Ом, BSS123NH6327XTSA1 обеспечивает эффективную и надежную работу в электронных схемах. Данный транзистор идеально подходит для использования в различных устройствах, где требуется точное управление мощностью и сигналом. Номер продукта для заказа: BSS123NH6327XTSA1. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.19 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 0.5 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 10 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 22 ns |
| Forward Transconductance - Min | 410 mS |
| Height | 1.1 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 190 mA |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSS123N BSS123NH6327XT H6327 SP000870646 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 900 pC |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.4 Ohms |
| Rise Time | 3.2 ns |
| RoHS | Details |
| Series | BSS123 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 7.4 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 2.3 ns |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| Width | 1.3 mm |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet BSS123NH6327XTSA1
pdf, 627 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
