2N7002T-7-F, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,115А, 0,15Вт, SOT523

Фото 2/4 2N7002T-7-F, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,115А, 0,15Вт, SOT523Фото 3/4 2N7002T-7-F, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,115А, 0,15Вт, SOT523Фото 4/4 2N7002T-7-F, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,115А, 0,15Вт, SOT523
Фото 1/4 2N7002T-7-F, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,115А, 0,15Вт, SOT523
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4750 шт. со склада г.Москва, срок 10-12 рабочих дней
38 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 20 шт.18 руб.
от 75 шт.11 руб.
от 405 шт.8.69 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 190 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8002633004
Артикул: 2N7002T-7-F
Производитель: Diodes Incorporated

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
N-канальный полевой МОП-транзистор, от 40 до 90 В, Diodes Inc.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 115 mA
Тип корпуса SOT-523 (SC-89)
Максимальное рассеяние мощности 150 мВт
Тип монтажа Surface Mount
Ширина 0.85
Высота 0.8мм
Размеры 1.7 x 0.85 x 0.8мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 1.7мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 7 ns
Производитель DiodesZetex
Типичное время задержки выключения 11 ns
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 13,5 Ω
Максимальное напряжение сток-исток 60 В
Число контактов 3
Категория Малый сигнал
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 22 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand DiodesZetex
Maximum Continuous Drain Current 115 мА
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 0.85мм
Height 0.8мм
Maximum Drain Source Voltage 60 В
Channel Mode Поднятие
Maximum Gate Source Voltage -20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки 115 mA
Pd - рассеивание мощности 150 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 7.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 80 mS
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Продукт MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки 3000
Серия 2N7002
Технология Si
Тип Enhancement Mode Field Effect Transistor
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки при включении 7 ns
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-523-3
Base Product Number 2N7002 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 115mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
HTSUS 8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SOT-523
Power Dissipation (Max) 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-523
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250ВµA
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 115mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 150mW
Rds On - Drain-Source Resistance 7.5О© @ 50mA,5V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Vgs - Gate-Source Voltage 2V @ 250uA
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet
pdf, 435 КБ
Datasheet 2N7002T-7-F
pdf, 379 КБ
Datasheet
pdf, 107 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах