IXFP22N60P3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 22А, 500Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 320 руб.
от 3 шт. —
1 170 руб.
от 10 шт. —
905 руб.
от 50 шт. —
739.64 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 320 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 22А, 500Вт, TO220-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | TO220AB |
Drain current | 22A |
Drain-source voltage | 600V |
Gate charge | 38nC |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 390mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 500W |
Type of transistor | N-MOSFET |
California Prop 65 | Warning Information |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 22A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 11A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | HiPerFETв„ў, Polar3в„ў -> |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1.5mA |
Вес, г | 2.06 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов