BCP56-10T1G, Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 1Вт, SOT223

Фото 1/6 BCP56-10T1G, Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 1Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
24 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 120 руб.
Посмотреть аналоги20
Номенклатурный номер: 8017284553
Артикул: BCP56-10T1G

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 1Вт, SOT223 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 1.5 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.57 mm
Длина 6.5 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 25
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 130 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия BCP56
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.5 mm
Collector Emitter Voltage Max 80В
Continuous Collector Current
DC Усиление Тока hFE 63hFE
Power Dissipation 1.5Вт
Количество Выводов 4вывод(-ов)
Линейка Продукции BCxxx
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора SOT-223
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 130МГц
Maximum Collector Base Voltage 100 V
Maximum Collector Emitter Voltage 80 V
Maximum DC Collector Current 1 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 35 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1.5 W
Minimum DC Current Gain 63
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-223(SC-73)
Pin Count 3+Tab
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 0.16

Техническая документация

Datasheet
pdf, 69 КБ
Datasheet
pdf, 73 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BCP56T1G
pdf, 66 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов