FDD120AN15A0, Транзистор N-MOSFET, полевой, 150В, 14А, 65Вт, DPAK, PowerTrench®
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
350 руб.
от 5 шт. —
210 руб.
от 25 шт. —
165 руб.
от 100 шт. —
129.10 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 350 руб.
Описание
МОП-транзистор 150V 14a 0.120 Ohm
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
Pd - рассеивание мощности | 65 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 120 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 16 ns |
Время спада | 19 ns |
Высота | 2.39 mm |
Длина | 6.73 mm |
Другие названия товара № | FDD120AN15A0_NL |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PowerTrench |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | FDD120AN15A0 |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 30 ns |
Типичное время задержки при включении | 6 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
Datasheet FDD120AN15A0
pdf, 770 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов