FDD120AN15A0, Транзистор N-MOSFET, полевой, 150В, 14А, 65Вт, DPAK, PowerTrench®

FDD120AN15A0, Транзистор N-MOSFET, полевой, 150В, 14А, 65Вт, DPAK, PowerTrench®
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
350 руб.
от 5 шт.210 руб.
от 25 шт.165 руб.
от 100 шт.129.10 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 350 руб.
Номенклатурный номер: 8002659017
Артикул: FDD120AN15A0

Описание

МОП-транзистор 150V 14a 0.120 Ohm

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 14 A
Pd - рассеивание мощности 65 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 16 ns
Время спада 19 ns
Высота 2.39 mm
Длина 6.73 mm
Другие названия товара № FDD120AN15A0_NL
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PowerTrench
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Серия FDD120AN15A0
Технология Si
Тип MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 30 ns
Типичное время задержки при включении 6 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок TO-252-3
Ширина 6.22 mm
Вес, г 0.66

Техническая документация

Datasheet FDD120AN15A0
pdf, 770 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов