FDD120AN15A0, Транзистор N-MOSFET, полевой, 150В, 14А, 65Вт, DPAK, PowerTrench®

Фото 2/2 FDD120AN15A0, Транзистор N-MOSFET, полевой, 150В, 14А, 65Вт, DPAK, PowerTrench®
Фото 1/2 FDD120AN15A0, Транзистор N-MOSFET, полевой, 150В, 14А, 65Вт, DPAK, PowerTrench®
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2364 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
210 руб.
от 5 шт.140 руб.
от 9 шт.89 руб.
от 47 шт.75.10 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 210 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002659017
Артикул: FDD120AN15A0
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
N-канальный МОП-транзистор PowerTrench®, от 10 А до 19,9 А, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 14 A
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 65 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 6.22мм
Высота 2.39мм
Размеры 6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 6 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 30 нс
Серия PowerTrench
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 282 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 150 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 11,2 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 770 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки 14 A
Pd - рассеивание мощности 65 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 16 ns
Время спада 19 ns
Другие названия товара № FDD120AN15A0_NL
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PowerTrench
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Технология Si
Тип MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки при включении 6 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок TO-252-3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 14A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 65W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 120mО© @ 4A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 150V
Vgs - Gate-Source Voltage 4V @ 250uA
Вес, г 0.47

Техническая документация

Datasheet FDD120AN15A0
pdf, 770 КБ
Datasheet
pdf, 775 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах