MMBFJ270, Транзистор P-JFET, полевой, 225мВт, SOT23, 50мА

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

75 руб.

Мин. кол-во для заказа 5 шт.

от 25 шт. — 57 руб.

от 100 шт. — 46 руб.

от 500 шт. — 35.30 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 375 руб.

Номенклатурный номер: 8002663943

Артикул: MMBFJ270

Страна происхождения: КИТАЙ

Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

The MMBFJ270 is a P-channel JFET designed for low level analogue switching sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers.

• -30V Drain-gate voltage
• 30V Gate-source voltage
• 50mA Forward gate current

Gate Source Breakdown Voltage Max	30В
Количество Выводов	3 Вывода
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)	2В
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max)	-15мА
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min)	-2мА
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23
Тип Транзистора	JFET
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Brand	ON Semiconductor/Fairchild
Configuration	Single
Drain-Source Current at Vgs=0	1.5 mA to 20 mA
Factory Pack Quantity	3000
Forward Transconductance - Min	6 S to 15 S
Gate-Source Cutoff Voltage	2 V
Manufacturer	ON Semiconductor
Mounting Style	SMD/SMT
Operating Temperature Range	-55 C to+150 C
Package / Case	SOT-23
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	225 mW
Product Category	JFET
RoHS	Details
Series	MMBFJ270
Transistor Polarity	P-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	30 V
Вес, г	0.04