MMBFJ270, Транзистор P-JFET, полевой, 225мВт, SOT23, 50мА

MMBFJ270, Транзистор P-JFET, полевой, 225мВт, SOT23, 50мА
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
75 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 25 шт.57 руб.
от 100 шт.46 руб.
от 500 шт.35.30 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 375 руб.
Номенклатурный номер: 8002663943
Артикул: MMBFJ270
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

The MMBFJ270 is a P-channel JFET designed for low level analogue switching sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers.

• -30V Drain-gate voltage
• 30V Gate-source voltage
• 50mA Forward gate current

Технические параметры

Gate Source Breakdown Voltage Max 30В
Количество Выводов 3 Вывода
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max) -15мА
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min) -2мА
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Тип Транзистора JFET
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Brand ON Semiconductor/Fairchild
Configuration Single
Drain-Source Current at Vgs=0 1.5 mA to 20 mA
Factory Pack Quantity 3000
Forward Transconductance - Min 6 S to 15 S
Gate-Source Cutoff Voltage 2 V
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Style SMD/SMT
Operating Temperature Range -55 C to+150 C
Package / Case SOT-23
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 225 mW
Product Category JFET
RoHS Details
Series MMBFJ270
Transistor Polarity P-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage 30 V
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 407 КБ
Datasheet MMBFJ270
pdf, 503 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов