2SD1047
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
1 260 руб.
от 2 шт. —
1 130 руб.
от 5 шт. —
1 030 руб.
от 10 шт. —
982.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 260 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 140В, 12А, 100Вт, TO3P Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
Pd - рассеивание мощности | 100 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 140 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 12 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 20 MHz |
Размер фабричной упаковки | 300 |
Серия | 2SD1047 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-3P-3 |
Base Product Number | 2SD1047 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 1A, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 20MHz |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
Package | Tube |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Power - Max | 100W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-3P |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 700mA, 7A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140V |
Maximum Collector Base Voltage | 200 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 140 V |
Maximum DC Collector Current | 20 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 20 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 100 W |
Minimum DC Current Gain | 60 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Collector Current (Ic) | 12A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100uA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 140V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 2.5V@5A, 500mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@1A, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 120W |
Transition Frequency (fT) | 15MHz |
Case | TO3P |
Collector current | 12A |
Collector-emitter voltage | 140V |
Frequency | 20MHz |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting | THT |
Polarisation | bipolar |
Power dissipation | 100W |
Type of transistor | NPN |
Вес, г | 6.804 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.