STB11NK40ZT4, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 5,67А, 110Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1059 шт., срок 7 недель
430 руб.
от 5 шт. —
330 руб.
от 25 шт. —
256 руб.
от 100 шт. —
215.39 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 430 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 5,67А, 110Вт, D2PAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки: | 9 A |
| Pd - рассеивание мощности: | 110 W |
| Qg - заряд затвора: | 32 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 550 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 400 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 3 V |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время нарастания: | 20 ns |
| Время спада: | 18 ns |
| Высота: | 4.6 mm |
| Длина: | 10.4 mm |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Конфигурация: | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 5.8 S |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки: | 1000 |
| Серия: | STB11NK40ZT4 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Тип: | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения: | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 20 ns |
| Торговая марка: | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок: | TO-263-3 |
| Ширина: | 9.35 mm |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 18 ns |
| Forward Transconductance - Min | 5.8 S |
| Height | 4.6 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 9 A |
| Length | 10.4 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Packaging | Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms |
| Rise Time | 20 ns |
| RoHS | Details |
| Series | STB11NK40Z |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 9.35 mm |
| Вес, г | 1.63 |
Техническая документация
Datasheet STB11NK40ZT4
pdf, 728 КБ
Datasheet STB11NK40ZT4, STP11NK40Z, STP11NK40ZFP
pdf, 746 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
