BSS138AKAR, Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
36000 шт., срок 6-8 недель
11 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
10 руб.
от 24000 шт. —
8.70 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 33 000 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 125мА, 360мВт, SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
Pd - рассеивание мощности | 1.06 W |
Qg - заряд затвора | 0.39 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 6 ns |
Время спада | 22 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 320 mS |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 36 ns |
Типичное время задержки при включении | 5 ns |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | TO-236AB-3 |
Continuous Drain Current (Id) | 200mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4.5Ω@100mA, 10V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250mA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 47pF@30V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 300mW;1.06W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 510pC@4.5V |
Type | null |
Техническая документация
Datasheet BSS138AKAR
pdf, 712 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.