BSS138AKAR, Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Фото 1/2 BSS138AKAR, Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
36000 шт., срок 6-8 недель
11 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт.10 руб.
от 24000 шт.8.70 руб.
Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 33 000 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8002381390
Артикул: BSS138AKAR
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 125мА, 360мВт, SOT23 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 200 mA
Pd - рассеивание мощности 1.06 W
Qg - заряд затвора 0.39 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 4.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 800 mV
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 6 ns
Время спада 22 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 320 mS
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 36 ns
Типичное время задержки при включении 5 ns
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок TO-236AB-3
Continuous Drain Current (Id) 200mA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 4.5Ω@100mA, 10V
Drain Source Voltage (Vdss) 60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.5V@250mA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 47pF@30V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 300mW;1.06W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) -
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 510pC@4.5V
Type null

Техническая документация

Datasheet BSS138AKAR
pdf, 712 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.