IRFIZ48GPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 26А, 50Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
500 руб.
от 3 шт. —
390 руб.
от 10 шт. —
335 руб.
от 50 шт. —
260.29 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 500 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 26А, 50Вт, TO220FP Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 15.49 mm |
Длина | 10.41 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IRFIZ |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 37 A |
Maximum Drain Source Resistance | 18 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 50 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220FP |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
Вес, г | 2.041 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1443 КБ
Datasheet
pdf, 1435 КБ
Datasheet IRFIZ48GPBF
pdf, 1446 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов