IRFIZ48GPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 26А, 50Вт, TO220FP

Фото 1/5 IRFIZ48GPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 26А, 50Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
500 руб.
от 3 шт.390 руб.
от 10 шт.335 руб.
от 50 шт.260.29 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 500 руб.
Номенклатурный номер: 8002739267
Артикул: IRFIZ48GPBF

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 26А, 50Вт, TO220FP Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Вид монтажа Through Hole
Высота 15.49 mm
Длина 10.41 mm
Категория продукта МОП-транзистор
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 50
Серия IRFIZ
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.7 mm
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 37 A
Maximum Drain Source Resistance 18 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 50 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220FP
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 110 nC @ 10 V
Вес, г 2.041

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1443 КБ
Datasheet
pdf, 1435 КБ
Datasheet IRFIZ48GPBF
pdf, 1446 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов