2SAR574D3TL1
20 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
280 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
220 руб.
от 10 шт. —
195 руб.
от 20 шт. —
181.44 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 560 руб.
Описание
Электроэлемент
Bipolar Transistors - BJT PNP -80V -2A 10W Pwr trnstr Low VCE
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1ВµA(ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 3V |
| Frequency - Transition | 280MHz |
| Manufacturer | Rohm Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 10W |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Техническая документация
Документация
pdf, 1175 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
