VN2460N3-G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
790 руб.
от 2 шт. —
680 руб.
от 5 шт. —
612 руб.
от 6 шт. —
590.94 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 790 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 600V, 0.16A, TO-92 ROHS COMPLIANT: YES
Технические параметры
| Brand | Microchip Technology |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 20 ns |
| Height | 5.33 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 160 mA |
| Length | 5.21 mm |
| Manufacturer | Microchip |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-92-3 |
| Packaging | Bulk |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 20 Ohms |
| Rise Time | 10 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | FET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 25 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Unit Weight | 0.00776 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 4.19 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 160 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 10 ns |
| Время спада | 20 ns |
| Высота | 5.33 mm |
| Длина | 5.21 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип | FET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Ширина | 4.19 mm |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 20Ом |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | VN2460 |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 160мА |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 20Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-92 |
| Вес, г | 0.22 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
