PMBTA06
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1937 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
90 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
38 руб.
от 10 шт. —
20 руб.
от 100 шт. —
5.16 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения6
Номенклатурный номер: 8002974484
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case Sty
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA(ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Family | Transistors-Bipolar(BJT)-Single |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Manufacturer | NXP Semiconductors |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Packaging | Digi-Reel® |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Series | - |
| Standard Package | 1 |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3 mm |
| Другие названия товара № | PMBTA06 T/R |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 80V |
| Maximum DC Collector Current | 500mA |
| Pd - Power Dissipation | 250mW |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 4 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23(TO-236AB) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
