MJL21196G

Фото 1/3 MJL21196G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 540 руб.
от 2 шт.1 410 руб.
от 5 шт.1 310 руб.
от 6 шт.1 262.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 540 руб.
Номенклатурный номер: 8002981970

Описание

Электроэлемент
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 250V, TO-264-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:16A; DC Current Gain hFE:8hFE; Transistor Case Style:TO-264; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)

Технические параметры

Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 400 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 250 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.4 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 16 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 25
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 25
Gain Bandwidth Product fT 4 MHz
Height 26.4 mm(Max)
Length 20.3 mm(Max)
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 16 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-264-3(TO-3BPL)
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 200 W
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series MJL21196
Transistor Polarity NPN
Width 5.3 mm(Max)
Maximum Collector Base Voltage 400 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage 250 V
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 1 MHz
Maximum Power Dissipation 200 W
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-264
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 10

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet MJL21196G
pdf, 129 КБ
Документация
pdf, 188 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов