BC546BG

Фото 1/2 BC546BG
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
32 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт.19 руб.
от 100 шт.6.70 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 160 руб.
Посмотреть аналоги11
Номенклатурный номер: 8002986459
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Box

Технические параметры

Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Through Hole
Material Si
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.7(Typ)0.5mA 10mA
Maximum Collector Base Voltage (V) 80
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.25 0.5mA 10mA|0.6 5mA 100mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 65
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 625
Maximum Transition Frequency (MHz) 300(Typ)
Minimum DC Current Gain 200 2mA 5V
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Packaging Box
Part Status Obsolete
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Product Category Bipolar Small Signal
Standard Package Name TO-92
Supplier Package TO-92
Type NPN

Техническая документация

Datasheet BC546BG
pdf, 214 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов