IXXH50N60C3D1

Фото 1/2 IXXH50N60C3D1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
5 050 руб.
от 2 шт.4 830 руб.
от 5 шт.4 650 руб.
от 7 шт.4 430.46 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 050 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002987398
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент
TRANSISTOR, IGBT, 600V, 100A, TO-247AD; Continuous Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.95V; Power Dissipation:600W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. of Pins:3Pins; Op 03AH1964

Технические параметры

Brand IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.3 V
Continuous Collector Current at 25 C 100 A
Factory Pack Quantity 30
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Manufacturer IXYS
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-247AD
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 600 W
Product Category IGBT Transistors
RoHS Details
Series IXXH50N60
Technology Si
Tradename XPT
Unit Weight 0.229281 oz
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet IXXH50N60C3D1
pdf, 191 КБ
IXXH50N60C3D1
pdf, 183 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.