2N7002KW, Транзистор MOSFET N-CH 60V 0.31A [SOT-323]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
92 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 92 руб.
Описание
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology.
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |
Стиль Корпуса Транзистора | sot-323 |
Рассеиваемая Мощность | 300мВт |
Полярность Транзистора | N Канал |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 310мА |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.6Ом |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.1В |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов