FDMC7660, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 40А, 41Вт, PQFN8, PowerTrench®

Фото 2/2 FDMC7660, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 40А, 41Вт, PQFN8, PowerTrench®
Фото 1/2 FDMC7660, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 40А, 41Вт, PQFN8, PowerTrench®
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
509 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
200 руб.
от 5 шт.140 руб.
от 8 шт.101 руб.
от 42 шт.79.43 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003175101
Артикул: FDMC7660
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, более 60 А, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Continuous Drain Current 100 A
Package Type Power 33
Maximum Power Dissipation 41 W
Mounting Type Surface Mount
Width 3.3mm
Height 1.05mm
Dimensions 3.3 x 3.3 x 1.05mm
Transistor Material Si
Number of Elements per Chip 1
Length 3.3mm
Transistor Configuration Single
Typical Turn-On Delay Time 14 ns
Brand ON Semiconductor
Typical Turn-Off Delay Time 36 ns
Series PowerTrench
Minimum Operating Temperature -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 1.2V
Maximum Drain Source Resistance 3.3 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Pin Count 8
Category Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs 54 nC @ 10 V
Channel Mode Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds 3630 pF@ 15 V
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Id - непрерывный ток утечки 20 A
Pd - рассеивание мощности 2.3 W
Qg - заряд затвора 54 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.7 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 6.8 ns
Время спада 5.7 ns
Высота 0.8 mm
Длина 3.3 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PowerTrench
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 163 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Серия FDMC7660
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 36 ns
Типичное время задержки при включении 14 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок Power-33-8
Ширина 3.3 mm
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet FDMC7660
pdf, 329 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах