FDMC7660, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 40А, 41Вт, PQFN8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
510 руб.
от 5 шт. —
370 руб.
от 25 шт. —
283 руб.
от 100 шт. —
239.52 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 510 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 40А, 41Вт, PQFN8 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.3 W |
| Qg - заряд затвора | 54 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.7 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 6.8 ns |
| Время спада | 5.7 ns |
| Высота | 0.8 mm |
| Длина | 3.3 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 163 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | FDMC7660 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 36 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | Power-33-8 |
| Ширина | 3.3 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.3 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 41 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | Power 33 |
| Pin Count | 8 |
| Series | PowerTrench |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Width | 3.3mm |
| Вес, г | 0.08 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
