IRF830SPBF, Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

IRF830SPBF, Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 270 шт.
Добавить в корзину 270 шт. на сумму 37 800 руб.
Номенклатурный номер: 8003192799
Артикул: IRF830SPBF

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор N-Chan 500V 4.5 Amp

Технические параметры

Вид монтажа SMD/SMT
Высота 4.83 mm
Длина 10.67 mm
Категория продукта МОП-транзистор
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 1000
Серия IRF
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-263-3
Ширина 9.65 mm
Base Product Number IRF830 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, кг 192

Техническая документация

Datasheet IRF830SPBF
pdf, 180 КБ
Datasheet IRF830SPBF
pdf, 232 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов