IRF9Z24S

Фото 1/3 IRF9Z24S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
323 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.140 руб.
от 10 шт.109 руб.
от 50 шт.90 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 400 руб.
Номенклатурный номер: 8002025585
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 11A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 25V
Manufacturer Vishay Siliconix
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Packaging Tube
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.7W(Ta), 60W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.6A, 10V
Series -
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки 11 A
Pd - рассеивание мощности 60 W
Qg - заряд затвора 19 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 280 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа SMD/SMT
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия IRF9Z
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-263-3
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet IRF9Z24SPBF
pdf, 179 КБ
Datasheet IRF9Z24SPBF
pdf, 175 КБ
Документация
pdf, 177 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.