IRFP140NPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
Мин. кол-во для заказа 130 шт.
от 260 шт. —
280 руб.
от 737 шт. —
258 руб.
Добавить в корзину 130 шт.
на сумму 37 700 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 27А, 94Вт, TO247AC Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 33 А |
| Тип корпуса | TO-247AC |
| Максимальное рассеяние мощности | 140 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 5.3мм |
| Высота | 20.3мм |
| Размеры | 15.9 x 5.3 x 20.3мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 15.9мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 8.2 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 44 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 52 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 94 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1400 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 33 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 52 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 140 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 94 nC @ 10 V |
| Width | 5.3mm |
| Вес, кг | 175 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
