IRFRC20PBF, Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
84 руб.
Мин. кол-во для заказа 440 шт.
от 817 шт. —
81 руб.
от 2312 шт. —
79 руб.
Добавить в корзину 440 шт.
на сумму 36 960 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 1,3А, 42Вт, DPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4400 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum IDSS (uA) | 100 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 25 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 18(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 18(Max)10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 350 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 23 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 42W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4Ohm @ 1.2A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, кг | 194 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1144 КБ
Документация
pdf, 1110 КБ
Datasheet IRFRC20, IRFUC20, SiHFRC20, SiHFUC20
pdf, 1111 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
