AOK20B135D1, Транзистор: IGBT, 1,35кВ, 20А, 170Вт, TO247, 1,05мДж
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
960 руб.
от 3 шт. —
850 руб.
от 10 шт. —
660 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 960 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, 1,35кВ, 20А, 170Вт, TO247, 1,05мДж Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Collector current | 20A |
| Collector-emitter saturation voltage | 1.57V |
| Collector-emitter voltage | 1.35kV |
| Gate charge | 66nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 170W |
| Pulsed collector current | 80A |
| Turn-off switching energy | 1.05mJ |
| Turn-off time | 480ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.09 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 713 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
