STF24N60M2, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ || Plus, полевой, 600В, 12А, 30Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт. со склада г.Москва
720 руб.
от 3 шт. —
610 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 720 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ || Plus, полевой, 600В, 12А, 30Вт Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 18A(Tc) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 30W(Tc) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 190mО© @ 9A,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 20A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.42 |
Техническая документация
Datasheet STF24N60M2
pdf, 1364 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
