IR2113STRPBF, Драйвер MOSFET верхнего/нижнего плеча 16SOIC

Фото 1/6 IR2113STRPBF, Драйвер MOSFET верхнего/нижнего плеча 16SOIC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 76 шт.140 руб.
от 152 шт.128 руб.
от 304 шт.126 руб.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 510 руб.
Номенклатурный номер: 8008916200
Артикул: IR2113STRPBF

Описание

Микросхемы / Драйверы и ключи / Драйверы MOSFET, IGBT
Драйвер MOSFET верхнего/нижнего плеча 16SOIC

Технические параметры

Корпус SOIC16
Максимальная рабочая температура +125 °C
Топология Верхняя и нижняя сторона
Длина 10.5мм
Количество выходов 2
Минимальное рабочее напряжение питания 10 V
Производитель Infineon
Полярность Неинвертирующий
Логическая совместимость входного сигнала CMOS, LSTTL
Тип корпуса SOIC
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -40 °C
Ширина 7.6мм
Высота 2.35мм
Максимальное рабочее напряжение питания 20 V
Число контактов 16
Размеры 10.5 x 7.6 x 2.35мм
Зависимость стороны высокого и низкого давления Независимый
Пиковый выходной ток 2.5
Количество драйверов 2
Brand Infineon Technologies
Factory Pack Quantity 1000
Fall Time 25 ns
Features Independent
Logic Type CMOS, TTL
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +125 C
Maximum Turn-Off Delay Time 20 ns
Maximum Turn-On Delay Time 20 ns
Minimum Operating Temperature -40 C
Moisture Sensitive Yes
Mounting Style SMD/SMT
Number Of Drivers 2 Driver
Number Of Outputs 2 Output
Operating Supply Current 340 uA
Output Current 2.5 A
Output Voltage 10 V to 20 V
Package / Case SOIC-16
Packaging Cut Tape or Reel
Part # Aliases SP001543856
Pd - Power Dissipation 1.25 W
Product MOSFET Gate Drivers
Product Category Gate Drivers
Product Type Gate Drivers
Propagation Delay - Max 150 ns
Rise Time 35 ns
Subcategory PMIC-Power Management ICs
Supply Voltage - Max 25 V
Supply Voltage - Min 10 V
Technology Si
Type High Side, Low Side
High and Low Sides Dependency Independent
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOIC
Pin Count 16
Polarity Non-Inverting
Supply Voltage 20V
Topology High and Low Side
Driven Configuration Half Bridge
Load Type IGBT;MOSFET
Operating Temperature -40℃~+150℃@(Tj)
Peak Output Current(sink) 2A
Peak Output Current(source) 2A
Вес, г 1.406

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем