IRFP150MPBF, MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
130 руб.
от 150 шт. —
106 руб.
от 500 шт. —
96.18 руб.
5 шт.
на сумму 1 000 руб.
Плати частями
от 250 руб. × 4 платежа
от 250 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Полевой транзистор IRFP150MPBF от известного производителя INFINEON – это высокомощное устройство в корпусе TO247AC, предназначенное для применения в силовой электронике. Данный N-MOSFET транзистор обладает током стока 42 А и напряжением сток-исток 100 В, что позволяет использовать его в различных схемах с высокими нагрузками. Мощность устройства составляет 160 Вт, а благодаря монтажу THT, его легко установить на печатные платы. Модель IRFP150MPBF гарантирует надежность и долговечность в эксплуатации, что делает её идеальным выбором для разработчиков и инженеров. Этот транзистор подойдет для усовершенствования существующих устройств или создания новых проектов в области силовой электроники. Внимание: при покупке проверьте маркировку на корпусе, она должна быть IRFP150MPBF без пробелов и специальных символов. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 42 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 160 |
| Корпус | TO247AC |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 42 A |
| Pd - рассеивание мощности | 160 W |
| Qg - заряд затвора | 110 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 36 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 20.7 mm |
| Длина | 15.87 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 400 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 5.31 mm |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 42 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 36 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 160 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Width | 5.2mm |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Мощность, Вт | 160 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Тип | полевой |
| Ток стока, А | 42 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
