2SA1036KT146R, 32V 200mW 120@100mA,3V 500mA PNP SOT233L Bipolar Transistors BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3390 шт., срок 9-11 недель
12 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
10 руб.
от 300 шт. —
9.70 руб.
от 1000 шт. —
8.50 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 240 руб.
Посмотреть альтернативные предложения5
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Brand | ROHM Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | -40 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -32 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.6 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | -0.5 A |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 120 |
DC Current Gain HFE Max | 390 |
Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gain Bandwidth Product FT | 200 MHz |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | -0.5 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SC-59-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 200 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Series | 2SA1036K |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | PNP |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1509 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.