2SA812-G, 100nA 50V 200mW 200@1mA,6V 100mA 180MHz 300mV@100mA,10mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
250 шт., срок 7 недель
4 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 200 руб.
Описание
50V 200mW 200@1mA,6V 100mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@100mA, 10mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@1mA, 6V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 180MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 100mA |
Pd - Power Dissipation | 200mW |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet 2SA812-G
pdf, 621 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.