VB1330

5235 шт., срок 9-11 недель
29 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
24 руб.
от 150 шт. —
21 руб.
от 500 шт. —
16.93 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 290 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003551102
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 6.5A(Tc) |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.7W(Tc) |
Rds On - Drain-Source Resistance | 30mО© @ 3.2A,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 250uA |
Техническая документация
Datasheet VB1330
pdf, 463 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.