VB1330

5235 шт., срок 9-11 недель
29 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.24 руб.
от 150 шт.21 руб.
от 500 шт.16.93 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 290 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003551102
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: Vbsemi Electronics Co., Ltd.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 6.5A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 1.7W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 30mО© @ 3.2A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Vgs - Gate-Source Voltage 2V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet VB1330
pdf, 463 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах