IRFZ44PBF, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 5 шт. —
73 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
Pd - рассеивание мощности | 150 W |
Qg - заряд затвора | 67 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 110 ns |
Время спада | 92 ns |
Высота | 15.49 mm |
Длина | 10.41 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 15 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IRFZ |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 45 ns |
Типичное время задержки при включении | 14 ns |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов