SCTWA20N120, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 16А, Idm: 45А, 175Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт., срок 7 недель
4 660 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 660 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials.
Технические параметры
| Case | HIP247™ |
| Drain current | 16A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Gate charge | 45nC |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.22Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 175W |
| Pulsed drain current | 45A |
| Technology | SiC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Base Product Number | SCTWA20 -> |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Package | Tube |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | * |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.189 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | HiP247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | SiC |
| Вес, г | 6.07 |
Техническая документация
Datasheet SCTWA20N120
pdf, 685 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
