IPA60R170CFD7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET, CoolMdS™ CFD7, полевой, 650В, 5А, Idm: 51А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
710 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 710 руб.
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, CoolMdS™ CFD7, полевой, 650В, 5А, Idm: 51А Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.17 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 FP |
| Pin Count | 3 |
| Series | 600V CoolMOS CFD7 |
| Вес, г | 2.17 |
Техническая документация
Datasheet IPA60R170CFD7XKSA1
pdf, 1126 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
