BSL316CH6327XTSA1

BSL316CH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
134 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.94 руб.
от 10 шт.76 руб.
от 100 шт.57.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 300 руб.
Номенклатурный номер: 8004072889
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент
MOSFET, AEC-Q101, COMPLEMENT N&P, TSOP-6, Transistor Polarity:N and P Complement, Continuous Drain Current Id:1.4A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.119ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage , RoHS Compliant: Yes

Технические параметры

Brand Infineon Technologies
Channel Mode Enhancement
Configuration 1 N-Channel, 1 P-Channel
Factory Pack Quantity 3000
Fall Time 1 ns, 7.5 ns
Forward Transconductance - Min 2.3 S, 2.7 S
Height 1.1 mm
Id - Continuous Drain Current 1.4 A, -1.5 A
Length 3 mm
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 2 Channel
Package / Case TSOP-6
Packaging Reel
Part # Aliases BSL316C H6327 SP001101010
Pd - Power Dissipation 500 mW
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 600 pC, -2.4 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 119 mOhms, 113 mOhms
Rise Time 2.3 ns, 6.5 ns
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel, P-Channel
Transistor Type 1 N-Channel, 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 5.8 ns, 14.3 ns
Typical Turn-On Delay Time 3.4 ns, 5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V, -30 V
Vgs - Gate-Source Voltage +/-20 V, +/-20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.2 V, -2 V
Width 1.5 mm
Channel Type N, P
Forward Diode Voltage 1.1V
Maximum Continuous Drain Current 1.4 A, 1.5 A
Maximum Drain Source Resistance 270 mΩ, 280 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2V
Maximum Power Dissipation 500 mW
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type TSOP-6
Pin Count 6
Series OptiMOS
Transistor Configuration Isolated
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 0.6 nC @ 5 V, 2.4 nC @ 5 V
Вес, г 0.0148

Техническая документация

Datasheet
pdf, 568 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.