FS100R12KE3BOSA1

Фото 2/2 FS100R12KE3BOSA1
Фото 1/2 FS100R12KE3BOSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Возможность поставки по запросу
14 590 руб.
от 2 шт.13 860 руб.
от 4 шт.13 418 руб.
от 7 шт.13 126 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 14 590 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004228930
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 10, АБ

Модуль IGBT NPT, одиночный, 1200 В, 140 А, 480 Вт, модуль для монтажа на шасси

Технические параметры

Base Product Number FS100R12 ->
Configuration Single
Current - Collector (Ic) (Max) 140A
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type NPT
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 7.1nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40В°C ~ 125В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case Module
Power - Max 480W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Вес, г 303.1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 449 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.